|
|
![](pics/spacer.gif) |
![](pics/spacer.gif) |
![](pics/spacer.gif) |
ÚFI/Informace/Stránky doktorandů/Miroslav Kolíbal
Ing. Miroslav Kolíbal, Ph.D.
Kancelář: A2/703, laboratoř: A2/518, tel. 2813, email: kolibal.m@fme.vutbr.cz
}
Speciální praktikum III
Návody do druhé části předmětu Speciální praktikum III:
Témata diplomových a bakalářských prací
![](files/1356/tof.jpg) | Návrh a testování elektroniky pro elektrostatickou optiku k urychlování iontů - DP Návrh zapojení jednotlivých členů elektrostatické optiky a jeho praktická realizace. Analýza povrchů metodou TOF-LEIS – růstové módy Ga a Ge na povrchu křemíku a SiO2. |
![](files/1356/selective.jpg) | Selektivní růst nanostruktur – DP Návrh a tvorba strukturovaných povrchů, realizace nanostruktur a jejich charakterizace pomocí vhodných analytických technik (AFM, elektronová mikroskopie). |
![](files/1356/droplets.jpg) | Vliv iontového bombardu na růstové módy gallia - BP Experimentální část práce bude zaměřena na depozici ultratenkých vrstev Ga v podmínkách vysokého vakua za asistence dopadajících iontů. Součástí práce budou rovněž simulace procesu v programu TRIM. Předpokládaní aplikace: selektivní růst. |
|
|
| ![](pics/spacer.gif) |